Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 650V 34A 40W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 650V 34A 40W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 650V 34A 40W TO220FP

STF40N60M2
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
49,66 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 650V 34A Idm: 136A 40W TO220FP, fabricat de STMicroelectronics, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații de putere medie și mare. Acest tranzistor are un subtip de ambalaj tub și poate fi montat cu tehnologia THT. Carcasa TO220FP oferă o disipare eficientă a căldurii, permițând utilizarea acestuia în aplicații cu cerințe ridicate de putere.

Cu o putere disipată de 40W, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenă în impuls de până la 136A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o performanță excelentă în condiții de lucru intensive. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diverse situații de utilizare.

Cu un curent de drenă de 34A și o tensiune drenă-sursă de 650V, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în ceea ce privește rezistența în timpul funcționării, de doar 88mΩ. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura portului este de 57nC, asigurând o comutare rapidă și eficientă.

Acest tranzistor N-MOSFET este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o performanță de vârf și o fiabilitate remarcabilă. Cu o tensiune port-sursă de ±25V și un tip de tranzistor N-MOSFET, acest component electronic este potrivit pentru o gamă largă de aplicații industriale și comerciale.
Detalii ale produsului
17 Produse

Fisa tehnica

Referință STF40N60M2
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 40W
Montare THT
Carcasă TO220FP
Curent de drenă în impuls 136A
Polarizare unipolar
Curent drenă 34A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 88mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 57nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: