Categorii
Tranzistor N-MOSFET 150V 76A 350W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 150V 76A 350W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 150V 76A 350W TO247-3

IXFH76N15T2
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO247-3; 69ns
45,94 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 150V 76A 350W TO247-3 69ns este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o putere de disipare mare. Este ideal pentru utilizare în surse de alimentare, invertor, sisteme de control de motor sau alte aplicații de putere.

Acest tranzistor este fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică. Ambalat într-un tub TO247-3 și montat prin orificii de montare cu montare pe suprafață, acest dispozitiv oferă o soluție fiabilă și eficientă pentru proiectele dvs. electronice.

Cu o putere de disipare de 350W, acest tranzistor poate gestiona cerințe de putere ridicate fără probleme. Caracteristicile elementelor semiconductoare thrench gate power mosfet îl fac potrivit pentru aplicații de putere ridicate.

Polarizarea unipolară, curentul de drenare de 76A și tensiunea drenaj-sursă de 150V fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații de putere medie și mare. Rezistența de 22mΩ în timpul funcționării asigură o eficiență ridicată a dispozitivului.

Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura de poartă de 97nC contribuie la performanța excelentă a acestui tranzistor. Tipul N-MOSFET și timpul de restabilire rapid de 69ns îl fac potrivit pentru aplicații care necesită comutare rapidă și eficientă.

În concluzie, tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 150V 76A 350W TO247-3 69ns este o alegere excelentă pentru proiectele dvs. electronice de putere, oferind performanță înaltă, fiabilitate și eficiență.
Detalii ale produsului
210 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFH76N15T2
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 350W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Polarizare unipolar
Curent drenă 76A
Tensiune drenă-sursă 150V
Rezistenţă în timpul funcţionării 22mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 97nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 69ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: