Categorii
N-MOSFET SiC 1.2kV 16A 123W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1.2kV 16A 123W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC 1.2kV 16A 123W Tranzistor

G3R160MT12D
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
53,78 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 16A Idm: 40A 123W de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO247-3 și poate fi montat pe placa de circuit integrat cu tehnologia THT. Cu o putere disipată de 123W, acest tranzistor este capabil să gestioneze un curent de drenă în impuls de până la 40A și un curent drenă stabil de 16A. Tensiunea drenă-sursă este de 1,2kV, iar tensiunea poartă-sursă variază între -5 și 15V. Rezistența în timpul funcționării este de 0,16Ω, iar tranzistorul utilizează tehnologia SiC și G3R™ pentru performanțe superioare. Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 28nC, acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru aplicațiile dumneavoastră de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
845 Produse

Fisa tehnica

Referință G3R160MT12D
Producător GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 123W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 40A
Polarizare unipolar
Curent drenă 16A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -5...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,16Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 28nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie G3R™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: