Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe în domeniul electronicelor. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 250V și poate disipa o putere de până la 320W, asigurând o performanță remarcabilă în diverse aplicații.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 23mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o fiabilitate superioară. Caracteristicile elementelor semiconductoare ultra junction x-class îl fac potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță.
Subtipul de canal îmbogățit și polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și eficientă. Cu o încărcătură de poartă de 50nC și un curent de drenă de 60A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și precisă.
Montat într-un ambalaj TO3P, acest tranzistor N-MOSFET de la IXYS este ușor de instalat și poate fi utilizat în diverse aplicații. Cu un timp de restabilire rapid de doar 95ns, acest tranzistor asigură performanțe remarcabile și o funcționare fiabilă în orice condiții.