Categorii
N-MOSFET Tranzistor 1,2kV 3A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 1,2kV 3A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 1,2kV 3A 200W TO220AB

IXTP3N120
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
66,77 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar IXYS este un component electronic de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe superioare în diverse aplicații. Acest tranzistor are o tensiune de drenaj-sursă de 1,2kV și poate disipa o putere de până la 200W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de putere medie și mare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 4,5Ω și o curent de drenaj de 3A, acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și eficientă. Subtipul de canal îmbogățit și tipul N-MOSFET îl fac potrivit pentru aplicații specifice care necesită o polarizare unipolară.

Tranzistorul IXYS este montat într-un ambalaj TO220AB, care permite o montare ușoară și sigură pe plăci de circuit imprimate. Timpul de restabilire rapid de 700ns îl face ideal pentru aplicații cu cerințe stricte de timp.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V și o încărcătură poartă de 42nC, acest tranzistor oferă o performanță excelentă într-o varietate de scenarii de utilizare. Fiind creat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui tranzistor N-MOSFET.
Detalii ale produsului
297 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTP3N120
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 200W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 3A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,5Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 42nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 700ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: