Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 600V și poate suporta un curent drenă de până la 18A, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de mare putere. Caracteristicile elementelor semiconductoare ultra junction x-class garantează o funcționare fiabilă și eficientă, iar rezistența redusă de 0,23Ω asigură o disipare eficientă a căldurii.
Tranzistorul are un subtip de canal îmbogățit și este polarizat unipolar, ceea ce îl face potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Cu o putere disipată impresionantă de 320W, acest tranzistor poate gestiona sarcini grele fără probleme. Montarea THT și carcasa TO220AB îl fac ușor de integrat în diverse proiecte.
Cu o încărcătură de poartă de 35nC și un timp de restabilire rapid de doar 127ns, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru aplicații sensibile la timp. Fiabilitatea și performanța excelentă fac din tranzistorul N-MOSFET de la IXYS o alegere ideală pentru proiectele tale electronice de înaltă putere.