Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NTE Electronics este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră de electronice. Cu o putere disipată de 63,8W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de până la 281A în impuls, fiind ideal pentru proiecte care necesită o performanță ridicată. Carcasa TO220FN permite o montare simplă și sigură, iar tensiunea drenă-sursă de 60V îl face potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu un curent de drenă de 49,7A și o rezistență în timpul funcționării de 6,9mΩ, acest tranzistor oferă fiabilitate și eficiență. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o gamă largă de proiecte. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor asigură o performanță stabilă și constantă. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET de la NTE Electronics pentru proiectele dumneavoastră electronice cu cerințe ridicate de putere și performanță.