Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 19A Idm: 120A 190W TO247, produs de NTE Electronics, este o alegere excelentă pentru aplicațiile tale electronice. Acesta dispune de o putere disipată de 190W, ceea ce îl face ideal pentru sarcini de mare intensitate. Cu un curent de drenă în impuls de 120A și un curent de drenă de 19A, acest tranzistor asigură performanță și fiabilitate.
Carcasa TO247 permite o montare ușoară și sigură, iar tensiunea drenă-sursă de 200V și tensiunea poartă-sursă de ±20V îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații. Rezistența sa în timpul funcționării de 85mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la temperaturi optime.
Cu un subtip de canal îmbogățit și o polarizare unipolară, acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Alege Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 19A Idm: 120A 190W TO247 pentru proiectele tale electronice și vei experimenta rezultate remarcabile.