Categorii
Tranzistor N-MOSFET 200V 19A 190W TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 19A 190W TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 19A 190W TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 19A 190W TO247

NTE2376
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
92,31 lei
Ultimele produse
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 19A Idm: 120A 190W TO247, produs de NTE Electronics, este o alegere excelentă pentru aplicațiile tale electronice. Acesta dispune de o putere disipată de 190W, ceea ce îl face ideal pentru sarcini de mare intensitate. Cu un curent de drenă în impuls de 120A și un curent de drenă de 19A, acest tranzistor asigură performanță și fiabilitate.

Carcasa TO247 permite o montare ușoară și sigură, iar tensiunea drenă-sursă de 200V și tensiunea poartă-sursă de ±20V îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații. Rezistența sa în timpul funcționării de 85mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la temperaturi optime.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o polarizare unipolară, acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Alege Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 19A Idm: 120A 190W TO247 pentru proiectele tale electronice și vei experimenta rezultate remarcabile.
Detalii ale produsului
3 Produse

Fisa tehnica

Referință NTE2376
Producător NTE Electronics
Putere disipată 190W
Montare THT
Carcasă TO247
Curent de drenă în impuls 120A
Polarizare unipolar
Curent drenă 19A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 85mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: