Categorii
Tranzistor N-MOSFET Polar3™ 300V 108A 520W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET Polar3™ 300V 108A 520W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET Polar3™ 300V 108A 520W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET Polar3™ 300V 108A 520W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET Polar3™ 300V 108A 520W

MMIX1F210N30P3
Tranzistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
322,79 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

90.89 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Polar3™ unipolar 300V 108A Idm: 550A 520W, MMIX1F210N30P3, dezvoltat de către IXYS, este un produs de înaltă performanță potrivit pentru diverse aplicații electronice. Cu o tehnologie inovatoare Polar3™ și o putere disipată de 520W, acest tranzistor oferă o soluție fiabilă și eficientă pentru nevoile dumneavoastră.

Cu o montare SMD și o carcasă SMPD, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse proiecte electronice. Cu un curent de drenă în impuls de 550A și un curent de drenă de 108A, acest dispozitiv poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință.

Tensiunea drenă-sursă de 300V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și sigură a tranzistorului. Rezistența redusă în timpul funcționării de 16mΩ și subtipul canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de performanță.

Cu o încărcătură poartă de 268nC și un timp de restabilire rapid de 250ns, acest tranzistor oferă un răspuns rapid și precis în diverse scenarii de funcționare. Descoperiți acum beneficiile tranzistorului N-MOSFET Polar3™ de la IXYS și aduceți performanța sistemului dumneavoastră la un nivel superior.
Detalii ale produsului
20 Produse

Fisa tehnica

Referință MMIX1F210N30P3
Producător IXYS
Putere disipată 520W
Montare SMD
Carcasă SMPD
Curent de drenă în impuls 550A
Polarizare unipolar
Curent drenă 108A
Tensiune drenă-sursă 300V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 16mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 268nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 250ns
Tehnologie HiPerFET™
Polar3™
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: