Tranzistorul IXFT50N60X este un N-MOSFET unipolar de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Fabricat de către IXYS, acest tranzistor se remarcă prin montare SMD și carcasa TO268, oferind o soluție compactă și eficientă pentru disiparea căldurii.
Cu o putere disipată impresionantă de 660W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de până la 50A, la o tensiune drenă-sursă de 600V. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 73mΩ, acesta asigură o eficiență maximă a circuitului.
Subtipul de canal îmbogățit și caracteristicile elementelor semiconductoare de clasă ultra junction X fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Cu o încărcătură poartă de 116nC și un timp de restabilire rapid de 195ns, acest tranzistor se potrivește perfect pentru aplicațiile cu cerințe stricte de timp și de comutare rapidă.
În concluzie, tranzistorul IXFT50N60X este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită o combinație de performanță, fiabilitate și eficiență energetică.