Categorii
Tranzistor N-MOSFET Polar 900V 24A 660W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET Polar 900V 24A 660W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET Polar 900V 24A 660W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET Polar 900V 24A 660W TO268

IXFT24N90P
Tranzistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
95,87 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar™ unipolar 900V 24A 660W TO268, IXFT24N90P este un produs de înaltă performanță, fabricat de către producătorul de renume IXYS. Acest tranzistor este destinat montării pe suprafață (SMD) și este disponibil în carcasa TO268, cu subtipul de ambalaj sub formă de tub.

Tehnologia inovatoare Polar™ utilizată în acest tranzistor asigură o putere disipată impresionantă de 660W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de putere mare. Polarizarea unipolară a dispozitivului îl face ușor de integrat în diverse circuite electronice.

Cu o capacitate de curent de drenaj de 24A și o tensiune drenaj-sursă de 900V, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicații cu cerințe ridicate de putere. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și rezistența redusă în timpul funcționării de 0.42Ω contribuie la eficiența și fiabilitatea dispozitivului.

Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 130nC îl fac potrivit pentru aplicații de comutare rapidă. Acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru utilizare în diverse echipamente electronice unde se impun cerințe de performanță ridicate.

Timpul de restabilire rapid de 300ns completează caracteristicile excelente ale acestui tranzistor, facilitând comutarea rapidă a semnalului. Cu Tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar™ unipolar 900V 24A 660W TO268, IXFT24N90P veți beneficia de performanțe superioare și fiabilitate în aplicațiile dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
251 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFT24N90P
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 660W
Montare SMD
Carcasă TO268
Polarizare unipolar
Curent drenă 24A
Tensiune drenă-sursă 900V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,42Ω
0.42Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 130nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 300ns
Tehnologie HiPerFET™
Polar™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: