Categorii
N-MOSFET Tranzistor 300V 120A 735W TO268 IXFT120N30X3HV | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 300V 120A 735W TO268 IXFT120N30X3HV | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 300V 120A 735W TO268 IXFT120N30X3HV | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 300V 120A 735W TO268 IXFT120N30X3HV

IXFT120N30X3HV
Tranzistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
135,62 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

44.00 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXFT120N30X3HV este un dispozitiv puternic și eficient, fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică. Acest tranzistor de tip N-MOSFET face parte din clasa X3, oferind performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.

Montarea acestui tranzistor se face în tehnologia SMD, iar carcasa TO268 îl face ușor de integrat în diverse aplicații. Subtipul de ambalaj tub îl protejează împotriva factorilor externi și îi conferă durabilitate în timp.

Cu o putere disipată de 735W, acest tranzistor unipolar poate gestiona un curent de drenaj de până la 120A. Tensiunea drenaj-sursă de 300V și tensiunea poartă-sursă de ±20V îl fac potrivit pentru aplicații exigente.

Rezistența în timpul funcționării de 11mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii, iar subtipul de canal îmbogățit și încărcătura poartă de 170nC îi conferă performanțe excelente în condiții de operare variate.

Acest tranzistor N-MOSFET de înaltă calitate are un timp de restabilire rapid de 145ns, ceea ce îl face ideal pentru aplicații cu cerințe stricte de timp. Cu Tranzistorul IXFT120N30X3HV de la IXYS, veți obține performanțe de vârf și fiabilitate pe care vă puteți baza în proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
12 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFT120N30X3HV
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 735W
Montare SMD
Carcasă TO268
Polarizare unipolar
Curent drenă 120A
Tensiune drenă-sursă 300V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 11mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 170nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 145ns
Tehnologie HiPerFET™
X3-Class
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: