Tranzistorul IXFT120N25X3HV este un N-MOSFET unipolar de înaltă performanță, proiectat pentru a oferi o soluție fiabilă și eficientă în aplicațiile cu cerințe ridicate de putere. Fabricat de către IXYS, acest tranzistor se remarcă prin montarea sa de tip SMD, care îl face ușor de integrat în diverse dispozitive electronice.
Carcasa TO268HV oferă o disipare eficientă a căldurii, permițând tranzistorului să funcționeze la puterea maximă de 480W fără probleme. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 12mΩ, acest N-MOSFET poate gestiona un curent de drenaj de până la 120A la o tensiune de drenaj-sursă de 250V.
Subtipul canalului îmbogățit și caracteristicile elementelor semiconductoare ultra junction x-class asigură performanțe superioare și o durată lungă de viață a dispozitivului. De asemenea, încărcătura poartă de 122nC și timpul de restabilire rapid de 140ns fac acest tranzistor ideal pentru aplicații sensibile la timp.
În concluzie, Tranzistorul IXFT120N25X3HV este alegerea perfectă pentru cei care caută un dispozitiv puternic, fiabil și eficient pentru aplicațiile lor electronice.