Categorii
Etichete
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5,4A; 1,2W
  • Tranzistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5,4A; 1,2W
  • Tranzistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5,4A; 1,2W

Tranzistor N-MOSFET TRENCH POWER 20V 5,4A YANGJIE YJL2312A

YJL2312A-YAN
Tranzistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5,4A; 1,2W
0,48 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET TRENCH POWER 20V 5,4A YANGJIE YJL2312A este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită eficiență și fiabilitate. Fabricat de YANGJIE TECHNOLOGY, acest tranzistor dispune de o tehnologie avansată TRENCH POWER LV, oferind o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 39mΩ și o capacitate de disipare a puterii de 1,2W.


  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Curent drenă: 5,4A

  • Curent de drenă în impuls: 27A

  • Tensiune drenă-sursă: 20V

  • Tensiune poartă-sursă: ±10V

  • Subtip canal: îmbogățit

  • Încărcătură poartă: 4,6nC

  • Polarizare: unipolar

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SOT23

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă


Acest tranzistor este potrivit pentru utilizare în circuite de comutație și amplificare, oferind o combinație optimă între performanță și dimensiuni compacte. Cod producător: YJL2312A.
Detalii ale produsului
2380 Produse

Fisa tehnica

Referință YJL2312A-YAN
Producător YANGJIE TECHNOLOGY
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 1,2W
Montare SMD
Carcasă SOT23
Curent de drenă în impuls 27A
Polarizare unipolar
Curent drenă 5,4A
Tensiune drenă-sursă 20V
Tensiune poartă-sursă ±10V
Rezistenţă în timpul funcţionării 39mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 4,6nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie TRENCH POWER LV
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: