Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1,2W; SOT23
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1,2W; SOT23
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1,2W; SOT23

Tranzistor N-MOSFET YANGJIE YJL03G10A 100V 3A SOT23 unipolar

YJL03G10A-YAN
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1,2W; SOT23
0,59 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET YANGJIE YJL03G10A 100V 3A SOT23 unipolar este componenta ideală pentru aplicații electronice ce necesită performanță și fiabilitate. Fabricat de YANGJIE TECHNOLOGY, acest tranzistor oferă o soluție compactă și eficientă pentru controlul curentului în circuite de putere.




  • Producător: YANGJIE TECHNOLOGY

  • Tip tranzistor: N-MOSFET unipolar

  • Carcasă: SOT23, ideală pentru montare SMD

  • Curent drenă: 3A

  • Curent de drenă în impuls: 121A

  • Tensiune drenă-sursă: 100V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,14Ω

  • Putere disipată: 1,2W

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 4,3nC

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă



Acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a asigura o performanță optimă în circuite electronice moderne, oferind un control precis și o disipare eficientă a căldurii. Forma compactă SOT23 și montarea SMD facilitează integrarea în plăci de circuit imprimat cu spațiu limitat.


Detalii ale produsului
265 Produse

Fisa tehnica

Referință YJL03G10A-YAN
Producător YANGJIE TECHNOLOGY
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 1,2W
Montare SMD
Carcasă SOT23
Curent de drenă în impuls 121A
Polarizare unipolar
Curent drenă 3A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,14Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 4,3nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: