Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3,2A; 2,5W
  • Tranzistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3,2A; 2,5W
  • Tranzistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3,2A; 2,5W

Tranzistor N-MOSFET TRENCH POWER 100V 3,2A YANGJIE YJM04N10A

YJM04N10A-YAN
Tranzistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3,2A; 2,5W
0,94 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET TRENCH POWER 100V 3,2A YANGJIE YJM04N10A

Tranzistorul N-MOSFET YANGJIE YJM04N10A este proiectat pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Fabricat de YANGJIE TECHNOLOGY, acest dispozitiv utilizează tehnologia avansată TRENCH POWER MV, oferind o rezistență scăzută în timpul funcționării de doar 0,12Ω și o capacitate de disipare a puterii de 2,5W.

Caracteristici principale:
  • Tip tranzistor: N-MOSFET unipolar, canal îmbogățit
  • Tensiune drenă-sursă: 100V
  • Curent drenă continuu: 3,2A
  • Curent de drenă în impuls: 16A
  • Tensiune poartă-sursă: ±20V
  • Încărcătură poartă: 16nC
  • Montare: SMD, carcasă SOT223
  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

Acest tranzistor este ideal pentru circuite de putere, comutare rapidă și aplicații industriale unde eficiența energetică și durabilitatea sunt esențiale. Forma compactă și montarea SMD facilitează integrarea în plăci de circuit imprimat moderne.

Cod producător: YJM04N10A.
Detalii ale produsului
970 Produse

Fisa tehnica

Referință YJM04N10A-YAN
Producător YANGJIE TECHNOLOGY
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 2,5W
Montare SMD
Carcasă SOT223
Curent de drenă în impuls 16A
Polarizare unipolar
Curent drenă 3,2A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,12Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 16nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie TRENCH POWER MV
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: