Tranzistor N-MOSFET ONSEMI MGSF1N03LT1G 30V 2,1A SOT23

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI MGSF1N03LT1G 30V 2,1A SOT23 este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET unipolar, cu canal îmbogățit, oferă o tensiune drenă-sursă de 30V și un curent maxim de drenă de 2,1A, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă.

• Producător: ONSEMI


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Subtip canal: Îmbogățit


• Carcasă: SOT23


• Montare: SMD


• Putere disipată: 0,69W


• Curent drenă: 2,1A


• Tensiune drenă-sursă: 30V


• Tensiune poartă-sursă: ±20V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 80mΩ


• Încărcătură poartă: 6nC


• Polarizare: Unipolar


• Subtip ambalaj: rolă, bandă

Datorită dimensiunilor compacte și ambalajului pe rolă sau bandă, acest tranzistor este potrivit pentru integrarea în circuite electronice moderne, oferind performanțe optime în aplicații de comutare și amplificare. Ideal pentru proiecte care necesită componente eficiente și durabile.