Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3,48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3,48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3,48A; Idm: 22A; 45W; DPAK

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FQD7N20LTM 200V 22A 45W DPAK

FQD7N20LTM
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3,48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
9,04 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FQD7N20LTM 200V 22A 45W DPAK este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET cu canal îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 200V și un curent de drenă continuu de 3,48A, cu un curent de drenă în impuls de până la 22A.




  • Producător: ONSEMI

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Subtip canal: Îmbogățit

  • Putere disipată: 45W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: DPAK

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 780mΩ

  • Tensiune drenă-sursă: 200V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Curent drenă: 3,48A

  • Curent de drenă în impuls: 22A

  • Încărcătură poartă: 9nC

  • Polarizare: Unipolar

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă



Datorită carcasei DPAK și montării SMD, acest tranzistor este potrivit pentru integrarea în circuite compacte și eficiente termic. Caracteristicile sale îl recomandă pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare DC-DC și alte aplicații electronice ce necesită fiabilitate și performanță ridicată.

Detalii ale produsului
2490 Produse

Fisa tehnica

Referință FQD7N20LTM
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 45W
Montare SMD
Carcasă DPAK
Curent de drenă în impuls 22A
Polarizare unipolar
Curent drenă 3,48A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 780mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 9nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
13 produse asociate: