Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FCD900N60Z 600V 3,5A DPAK

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FCD900N60Z 600V 3,5A DPAK este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent de drenă continuu de 3,5A, asigurând o putere disipată de până la 52W.

• Producător: ONSEMI


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Subtip canal: îmbogățit


• Curent de drenă în impuls: 13,5A


• Curent drenă: 3,5A


• Tensiune drenă-sursă: 600V


• Tensiune poartă-sursă: ±20V


• Rezistență în timpul funcționării: 0,9Ω


• Încărcătură poartă: 17nC


• Montare: SMD


• Carcasă: DPAK


• Subtip ambalaj: rolă, bandă

Datorită carcasei DPAK și montării SMD, tranzistorul este potrivit pentru integrarea în circuite compacte și pentru producția în serie. Polarizarea unipolară și caracteristicile tehnice avansate îl recomandă pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice ce solicită performanță și fiabilitate.