Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FCB260N65S3 650V 12A 90W D2PAK

FCB260N65S3
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
30,38 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FCB260N65S3 650V 12A 90W D2PAK este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET de tip îmbogățit oferă o tensiune drenă-sursă de 650V și un curent de drenă continuu de 12A, cu un curent de drenă în impuls de până la 30A.




  • Putere disipată: 90W

  • Montare: SMD (Surface Mount Device)

  • Carcasă: D2PAK

  • Rezistență în timpul funcționării: 0,26Ω

  • Tensiune poartă-sursă: ±30V

  • Încărcătură poartă: 24nC

  • Polarizare: unipolar

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă



Datorită caracteristicilor sale tehnice, tranzistorul ONSEMI FCB260N65S3 este potrivit pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare și alte circuite electronice ce necesită control precis al curentului și tensiunii. Ambalajul în rolă și bandă facilitează procesul de montare automată în producție.

Detalii ale produsului
800 Produse

Fisa tehnica

Referință FCB260N65S3
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 90W
Montare SMD
Carcasă D2PAK
Curent de drenă în impuls 30A
Polarizare unipolar
Curent drenă 12A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,26Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 24nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
13 produse asociate: