Tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES, model cu carcasă D2PAK și montare SMD, este proiectat pentru aplicații de putere ridicată, oferind performanțe remarcabile datorită tehnologiei HEXFET®. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 75V și un curent de drenă continuu de 174A, acest dispozitiv asigură o disipare termică eficientă de până la 375W, fiind ideal pentru circuite de comutare rapidă și de înaltă eficiență energetică. Curentul de drenă în impuls poate atinge 984A, facilitând gestionarea suprasarcinilor fără pierderi semnificative. Rezistența scăzută în timpul funcționării, de 2,6mΩ, minimizează căldura disipată și crește eficiența sistemului. Tranzistorul are o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, cu o încărcătură poartă de 407nC, ceea ce asigură un răspuns rapid și stabil în aplicații de alimentare și control motor. Ambalarea pe rolă facilitează manipularea și integrarea automatizată în procesele de producție. Acest N-MOSFET reprezintă o soluție robustă și fiabilă pentru inginerii care caută performanță superioară în proiectele electronice de putere.