Categorii
  • Nou

NEXPERIA Tranzistor N-MOSFET 80V 123A SMD PowerSO8

PSMN4R2-80YSEX
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
29,04 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
NEXPERIA Tranzistorul N-MOSFET 80V 123A SMD în carcasă PowerSO8 este o soluție de înaltă performanță pentru aplicații de putere și comutare rapidă. Proiectat pentru montare SMD, acest tranzistor unipolar îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 80V și un curent de drenă continuu impresionant de 123A, susținut de un curent de drenă în impuls de până la 698A, asigurând performanțe excelente chiar și în condiții solicitante. Cu o rezistență internă foarte scăzută în timpul funcționării de 9,3mΩ, dispozitivul optimizează eficiența energetică și reduce pierderile de putere, disipând până la 294W. Tensiunea maximă poartă-sursă de ±20V și încărcătura poartă de 110nC permit un control precis și stabil al comutării. Disponibil în multiple carcase compacte și robuste – PowerSO8, LFPAK56E și SOT1023 – tranzistorul se integrează ușor în diverse configurații de circuit, fiind ideal pentru convertizoare DC-DC, drivere de motoare și alte aplicații industriale de înaltă putere. Ambalarea pe bandă și rolă facilitează procesul automatizat de asamblare, oferind un produs fiabil și eficient, marca NEXPERIA garantând calitatea și durabilitatea.
Detalii ale produsului
1498 Produse

Fisa tehnica

Referință PSMN4R2-80YSEX
Producător NEXPERIA
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 294W
Montare SMD
Carcasă LFPAK56E
PowerSO8
SOT1023
Curent de drenă în impuls 698A
Polarizare unipolar
Curent drenă 123A
Tensiune drenă-sursă 80V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 9,3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 110nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.