Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1,6A; 100W; TO252; 400ns
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1,6A; 100W; TO252; 400ns
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1,6A; 100W; TO252; 400ns

Tranzistor N-MOSFET IXYS 500V 1,6A 100W TO252 SMD unipolar

IXTY1R6N50D2
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1,6A; 100W; TO252; 400ns
30,71 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET IXYS 500V 1,6A 100W în carcasă TO252 reprezintă soluția ideală pentru aplicații care necesită comutare rapidă și gestionarea eficientă a puterii. Proiectat pentru montare SMD, acest tranzistor unipolar oferă o tensiune drenă-sursă de 500V și un curent maxim de 1,6A, asigurând performanțe stabile chiar și în condiții exigente. Cu o putere disipată de 100W și o rezistență în timpul funcționării de doar 2,3Ω, dispozitivul minimizează pierderile și optimizează eficiența circuitului. Încărcătura poartă de 23,7nC și timpul de restabilire de 400ns permit o comutare rapidă, esențială în aplicații de control al motoarelor, surse de alimentare și convertoare. Polarizarea unipolară și subtipul canal sărăcit contribuie la un control precis și fiabil al semnalului. Ambalajul tip tub facilitează manipularea și integrarea în procesele de producție automate. Tranzistorul IXYS N-MOSFET este alegerea optimă pentru ingineri care caută un component durabil, performant și adaptabil pentru proiecte electronice avansate.
Detalii ale produsului
348 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTY1R6N50D2
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 100W
Montare SMD
Carcasă TO252
Polarizare unipolar
Curent drenă 1,6A
Tensiune drenă-sursă 500V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,3Ω
Subtip canal sărăcit
Încărcătură poartă 23,7nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 400ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.