Tranzistor N-MOSFET SiC 1700V 4,1A 100W SMC DIODE SOLUTIONS D2PAK SMD

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1700V 4,1A 100W de la SMC DIODE SOLUTIONS este proiectat pentru aplicații de înaltă performanță ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată în condiții extreme. Fabricat în tehnologie SiC (carbură de siliciu), acest dispozitiv oferă o rezistență ridicată la temperaturi și o stabilitate superioară față de MOSFET-urile tradiționale. Carcasa robustă D2PAK-7 și montarea SMD asigură integrarea facilă în circuite compacte cu disipare termică optimizată, suportând o putere disipată de 100W. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 1700V și un curent continuu de drenă de 4,1A (impuls 15A), acest tranzistor este ideal pentru convertizoare de putere, invertoare și aplicații industriale solicitante. Terminalul Kelvin minimizează efectele inductive, iar caracteristica de canal îmbogățit și polarizarea unipolară garantează performanțe stabile și fiabile. Rezistența internă în timpul funcționării este de doar 1,9Ω, iar tensiunea poartă-sursă variază între -5V și 20V, cu o încărcătură poartă de 10nC, facilitând controlul precis și eficient al comutării. Acest N-MOSFET reprezintă soluția optimă pentru proiecte ce cer fiabilitate, eficiență energetică și performanțe înalte în domeniul electronicii de putere.