Categorii
  • Nou

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 29A SMD TOLL SMC DIODE SOLUTIONS

S2M0080120T
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 29A; Idm: 82A; 231W; TOLL
30,59 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 29A SMD TOLL de la SMC DIODE SOLUTIONS reprezintă o soluție avansată pentru aplicații de înaltă performanță ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică superioară. Fabricat folosind tehnologie Silicon Carbide (SiC), acest dispozitiv oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 1,2 kV și un curent continuu de drenă de 29A, asigurând o rezistență internă redusă de doar 137mΩ în timpul funcționării. Cu o putere disipată impresionantă de 231W și un curent de drenă în impuls de până la 82A, tranzistorul este ideal pentru aplicații industriale, convertizoare de putere și echipamente de automatizare. Designul unipolar, cu canal îmbogățit și terminal Kelvin, optimizează performanța și stabilitatea circuitului. Montarea SMD în carcasă TOLL facilitează integrarea compactă pe plăci de circuit imprimat, iar ambalarea în rolă și bandă asigură manipulare și instalare eficiente. Domeniul de tensiune poartă-sursă variază între -5V și 20V, iar încărcătura poartă de 54nC permite comutări rapide și precise. Acest N-MOSFET SiC este alegerea perfectă pentru proiecte ce solicită robustete, fiabilitate și performanțe ridicate în condiții dure de operare.
Detalii ale produsului
49 Produse

Fisa tehnica

Referință S2M0080120T-SMC
Producător SMC DIODE SOLUTIONS
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 231W
Montare SMD
Carcasă TOLL
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 82A
Polarizare unipolar
Curent drenă 29A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 137mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 54nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.