Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 66A; 153W

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 15A SMC DIODE SOLUTIONS SMD D2PAK-7

S2M0120120J
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
47,55 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 15A SMC DIODE SOLUTIONS, în carcasă D2PAK-7, este soluția ideală pentru aplicații de înaltă performanță și eficiență energetică. Fabricat cu tehnologie Silicon Carbide (SiC), acest dispozitiv asigură o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 212mΩ, ceea ce permite o disipare a puterii de până la 153W, optimizând performanța sistemelor de putere. Cu un curent de drenă nominal de 15A și un curent de drenă în impuls de 66A, tranzistorul suportă sarcini dinamice ridicate, fiind potrivit pentru conversia energiei și controlul motoarelor electrice. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit contribuie la stabilitatea și rapiditatea comutării. Tensiunea maximă drenă-sursă de 1,2kV și tensiunea poartă-sursă între -5V și 20V garantează compatibilitatea cu aplicații industriale exigente. Încărcătura poartă de 29,6nC permite un control precis al semnalului. Ambalajul tip tub și montarea SMD facilitează integrarea în circuite compacte și automatizate. Terminalul Kelvin îmbunătățește performanța termică și electrică. Tranzistorul N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS este alegerea perfectă pentru inginerii care caută fiabilitate, eficiență și durabilitate în proiectele electronice avansate.
Detalii ale produsului
48 Produse

Fisa tehnica

Referință S2M0120120J-SMC
Producător SMC DIODE SOLUTIONS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 153W
Montare SMD
Carcasă D2PAK-7
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 66A
Polarizare unipolar
Curent drenă 15A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 212mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 29,6nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.