Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 15A SMC DIODE SOLUTIONS, în carcasă D2PAK-7, este soluția ideală pentru aplicații de înaltă performanță și eficiență energetică. Fabricat cu tehnologie Silicon Carbide (SiC), acest dispozitiv asigură o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 212mΩ, ceea ce permite o disipare a puterii de până la 153W, optimizând performanța sistemelor de putere. Cu un curent de drenă nominal de 15A și un curent de drenă în impuls de 66A, tranzistorul suportă sarcini dinamice ridicate, fiind potrivit pentru conversia energiei și controlul motoarelor electrice. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit contribuie la stabilitatea și rapiditatea comutării. Tensiunea maximă drenă-sursă de 1,2kV și tensiunea poartă-sursă între -5V și 20V garantează compatibilitatea cu aplicații industriale exigente. Încărcătura poartă de 29,6nC permite un control precis al semnalului. Ambalajul tip tub și montarea SMD facilitează integrarea în circuite compacte și automatizate. Terminalul Kelvin îmbunătățește performanța termică și electrică. Tranzistorul N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS este alegerea perfectă pentru inginerii care caută fiabilitate, eficiență și durabilitate în proiectele electronice avansate.