Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 223A; 130W

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 46A 130W SMD SMC DIODE SOLUTIONS

S3M0040120T
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
44,01 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 46A 130W SMD de la SMC DIODE SOLUTIONS reprezintă o soluție avansată pentru aplicații de comutare și control în medii industriale și electronice de putere. Conceput pe tehnologie Silicon Carbide (SiC), acest tranzistor asigură performanțe superioare în ceea ce privește eficiența energetică și disiparea căldurii, cu o putere disipată de 130W, fiind ideal pentru utilizare în circuite cu cerințe ridicate. Carcasa TOLL, montarea SMD și ambalarea pe rolă și bandă facilitează integrarea rapidă și fiabilă în procesele de producție automate.

Cu un curent de drenă nominal de 46A și un curent de drenă în impuls de până la 223A, acest N-MOSFET suportă sarcini dinamice intense. Tensiunea maximă drenă-sursă de 1,2kV și tensiunea poartă-sursă variabilă între -4V și 18V oferă flexibilitate și stabilitate în funcționare. Rezistența în timpul funcționării extrem de scăzută, de doar 50mΩ, minimizează pierderile și crește eficiența circuitelor. Caracteristica elementelor semiconductoare cu terminal Kelvin optimizează performanța și reduce efectele parazitare.

Cu un subtip canal îmbogățit și încărcătură poartă de 143nC, tranzistorul asigură un răspuns rapid și precis în aplicații unipolare. Produsul este recomandat pentru sisteme de alimentare, convertoare de putere, echipamente industriale și alte aplicații unde fiabilitatea și performanța de vârf sunt esențiale. Alegerea ideală pentru ingineri și dezvoltatori care caută o componentă robustă, eficientă și ușor de integrat.
Detalii ale produsului
6 Produse

Fisa tehnica

Referință S3M0040120T-SMC
Producător SMC DIODE SOLUTIONS
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 130W
Montare SMD
Carcasă TOLL
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 223A
Polarizare unipolar
Curent drenă 46A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării 50mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 143nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.