Tranzistorul N-MOSFET INFINEON 200V 84A 300W PG-TO263-3 SMD, fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, oferă performanțe superioare în aplicații de comutație și amplificare datorită tehnologiei avansate OptiMOS™ FD. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 200V și un curent drenă de până la 84A, acest dispozitiv asigură o putere disipată de 300W, ideală pentru gestionarea sarcinilor electrice ridicate. Carcasa compactă PG-TO263-3, montarea SMD și polarizarea unipolară facilitează integrarea în circuite moderne, economisind spațiu și optimizând disiparea termică. Rezistența redusă în timpul funcționării, de doar 11,7mΩ, contribuie la eficiență energetică crescută și minimizarea pierderilor. Subtipul canalului îmbogățit și toleranța tensiunii poartă-sursă de ±20V asigură stabilitate și fiabilitate în diverse condiții de operare. Acest tranzistor N-MOSFET este soluția ideală pentru aplicații industriale, electrice și electronice ce necesită performanță ridicată, durabilitate și eficiență optimă.