Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3

Tranzistor N-MOSFET INFINEON 200V 84A 300W PG-TO263-3 SMD

IPB117N20NFDATMA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
54,09 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET INFINEON 200V 84A 300W PG-TO263-3 SMD, fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, oferă performanțe superioare în aplicații de comutație și amplificare datorită tehnologiei avansate OptiMOS™ FD. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 200V și un curent drenă de până la 84A, acest dispozitiv asigură o putere disipată de 300W, ideală pentru gestionarea sarcinilor electrice ridicate. Carcasa compactă PG-TO263-3, montarea SMD și polarizarea unipolară facilitează integrarea în circuite moderne, economisind spațiu și optimizând disiparea termică. Rezistența redusă în timpul funcționării, de doar 11,7mΩ, contribuie la eficiență energetică crescută și minimizarea pierderilor. Subtipul canalului îmbogățit și toleranța tensiunii poartă-sursă de ±20V asigură stabilitate și fiabilitate în diverse condiții de operare. Acest tranzistor N-MOSFET este soluția ideală pentru aplicații industriale, electrice și electronice ce necesită performanță ridicată, durabilitate și eficiență optimă.
Detalii ale produsului
984 Produse

Fisa tehnica

Referință IPB117N20NFDATMA1
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată 300W
Montare SMD
Carcasă PG-TO263-3
Polarizare unipolar
Curent drenă 84A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 11,7mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie OptiMOS™ FD
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.