Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 40A SMC DIODE SOLUTIONS T2PAK SMD

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 40A SMC DIODE SOLUTIONS, cu ambalaj tip tub și carcasă T2PAK, este soluția ideală pentru aplicații industriale și de putere ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Fabricat cu tehnologie Silicon Carbide (SiC), acest dispozitiv oferă o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă continuu de 40A, susținut de un curent de drenă în impuls de până la 200A, ceea ce îl face potrivit pentru comutări rapide și eficiente în medii solicitante. Rezistența scăzută în timpul funcționării, de doar 50mΩ, asigură pierderi minime de putere și eficiență energetică superioară, în timp ce puterea disipată de 333W permite operarea în condiții termice dificile. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit contribuie la o stabilitate excelentă a performanței, iar terminalul Kelvin optimizează controlul curentului pentru o comutare precisă. Cu o tensiune poartă-sursă variind între -4V și 18V și o încărcătură a porții de 143nC, acest N-MOSFET este proiectat pentru montare SMD, facilitând integrarea ușoară în circuite compacte. Ideal pentru utilizatorii care caută un tranzistor robust, eficient și cu caracteristici avansate, produsul SMC DIODE SOLUTIONS garantează performanțe superioare în aplicații de conversie de putere, control motoare și sisteme industriale moderne.