EVERLIGHT Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 5,2A TO263-7 SMD reprezintă o soluție avansată de comutare, proiectată cu tehnologie Silicon Carbide (SiC) pentru performanțe superioare și eficiență sporită. Fabricat de EVERLIGHT, acest tranzistor unipolar N-MOSFET cu subtip canal îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 1,7kV și un curent drenă de 5,2A, asigurând o capacitate ridicată de gestionare a puterii. Montarea SMD pe carcasă TO263-7 facilitează integrarea rapidă și sigură în diverse aplicații. Caracteristica terminalului Kelvin optimizează precizia controlului poartă-drenă și reduce pierderile. Intervalul de tensiune poartă-sursă variază între -4V și 20V, iar încărcătura poartă de 8,9nC contribuie la o tranzitie rapidă și eficientă. Rezistența în timpul funcționării este de numai 1,5Ω, ceea ce reduce disiparea de putere și crește fiabilitatea dispozitivului. Acest tranzistor N-MOSFET SiC este ideal pentru utilizatorii care caută performanță ridicată și durabilitate într-un pachet compact și robust.