Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 54A SMD SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 54A de la SMC DIODE SOLUTIONS reprezintă o soluție avansată, ideală pentru aplicații ce necesită performanță și fiabilitate ridicată. Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent continuu de drenă de 54A, acest dispozitiv asigură o disipare a puterii de până la 517W, facilitând operarea în condiții exigente. Tehnologia SiC (carbură de siliciu) oferă rezistență redusă în timpul funcționării, cu o valoare de doar 36mΩ, contribuind la eficiență energetică superioară și disipare minimă a căldurii. Designul unipolar și canalul îmbogățit permit un control precis al curentului, în timp ce polarizarea pe gamă largă de la -4V la 18V optimizează flexibilitatea în diverse circuite. Curentul de drenă în impuls poate atinge 200A, suportând vârfuri tranzitorii fără compromisuri. Tranzistorul include terminal Kelvin pentru o performanță electrică îmbunătățită și o încărcătură a porții de 175nC, asigurând răspuns rapid și stabilitate în comutare. Ambalat în format SMD, carcasat în TOLL și disponibil pe rolă și bandă, acest N-MOSFET este proiectat pentru integrare facilă în sisteme moderne, combinând robustețea cu dimensiuni compacte și montare eficientă.