Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263

Tranzistor N-MOSFET IXYS 1,2kV 3A 200W TO263 SMD unipolar

IXFA3N120
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263
87,34 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET IXYS, cu o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent maxim de drenă de 3A, oferă performanțe ridicate în aplicații ce necesită gestionarea puterii. Carcasa TO263 și montarea SMD asigură o integrare compactă și eficientă pe plăci de circuit imprimat, optimizând disiparea termică, cu o putere disipată de până la 200W. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit conferă un comportament stabil și rapid, iar încărcătura poartă de 39 nC permite comutare eficientă și control precis. Ambalajul tip tub facilitează manipularea și protecția componentelor. Fabricat de IXYS, acest N-MOSFET combină fiabilitatea cu performanța superioară într-un design robust, potrivit pentru cerințe exigente în domeniul electronicii de putere.
Detalii ale produsului
27 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFA3N120
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 200W
Montare SMD
Carcasă TO263
Polarizare unipolar
Curent drenă 3A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 39nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.