Categorii
  • Nou

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 75A SMC DIODE SOLUTIONS T2PAK SMD

S3M0016120B
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
94,67 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 75A SMC DIODE SOLUTIONS T2PAK SMD oferă performanțe superioare datorită tehnologiei avansate Silicon Carbide (SiC), asigurând eficiență ridicată și disipare termică optimă, cu o putere disipată de 576W. Carcasa robustă T2PAK și montarea SMD facilitează integrarea compactă și fiabilă în aplicații exigente. Cu un curent de drenă continuu de 75A și un curent impuls de 250A, acest tranzistor suportă sarcini intense, menținând o rezistență în timpul funcționării de doar 25mΩ. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit asigură un control precis, în timp ce tensiunea maximă drenă-sursă de 1,2kV și intervalul de tensiune poartă-sursă între -4V și 18V garantează flexibilitate operațională. Terminalul Kelvin optimizează performanța elementelor semiconductoare, iar încărcătura poartă de 287nC conferă un răspuns rapid și stabil. Ambalajul în tub facilitează manipularea și protecția componentelor. Produsul SMC DIODE SOLUTIONS se remarcă prin fiabilitate și durabilitate, oferind o soluție avansată pentru cerințe tehnice ridicate.
Detalii ale produsului
10 Produse

Fisa tehnica

Referință S3M0016120B-SMC
Producător SMC DIODE SOLUTIONS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 576W
Montare SMD
Carcasă T2PAK
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 250A
Polarizare unipolar
Curent drenă 75A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării 25mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 287nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.