Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 75A SMC DIODE SOLUTIONS T2PAK SMD oferă performanțe superioare datorită tehnologiei avansate Silicon Carbide (SiC), asigurând eficiență ridicată și disipare termică optimă, cu o putere disipată de 576W. Carcasa robustă T2PAK și montarea SMD facilitează integrarea compactă și fiabilă în aplicații exigente. Cu un curent de drenă continuu de 75A și un curent impuls de 250A, acest tranzistor suportă sarcini intense, menținând o rezistență în timpul funcționării de doar 25mΩ. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit asigură un control precis, în timp ce tensiunea maximă drenă-sursă de 1,2kV și intervalul de tensiune poartă-sursă între -4V și 18V garantează flexibilitate operațională. Terminalul Kelvin optimizează performanța elementelor semiconductoare, iar încărcătura poartă de 287nC conferă un răspuns rapid și stabil. Ambalajul în tub facilitează manipularea și protecția componentelor. Produsul SMC DIODE SOLUTIONS se remarcă prin fiabilitate și durabilitate, oferind o soluție avansată pentru cerințe tehnice ridicate.