Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 52A SMC DIODE SOLUTIONS T2PAK SMD

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 52A de la SMC DIODE SOLUTIONS este un component de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații exigente, cu tehnologie avansată Silicon Carbide (SiC). Ambalat în carcasă T2PAK și destinat montării SMD, acest dispozitiv oferă o putere disipată impresionantă de 394W, asigurând o eficiență termică optimă. Cu un curent de drenă nominal de 52A și un curent de drenă în impuls de până la 200A, tranzistorul suportă sarcini electrice ridicate, menținând o rezistență în timpul funcționării redusă de doar 36mΩ. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit optimizează controlul curentului, iar tensiunea maximă drenă-sursă de 1,2kV garantează o toleranță ridicată la tensiuni înalte. Tensiunea poartă-sursă variabilă între -4V și 18V și încărcătura poartă de 175nC asigură o operare flexibilă și răspuns rapid. Integrarea terminalului Kelvin aduce un plus de precizie în controlul parametrilor electrici. Acest tranzistor N-MOSFET SiC reprezintă o soluție robustă și eficientă, ideală pentru sisteme ce necesită performanță și fiabilitate ridicată.