Tranzistor N-MOSFET IXYS 4,5kV 0,2A 113W TO268HV 1,6us

Tranzistor N-MOSFET IXYS 4,5kV 0,2A 113W TO268HV 1,6us este o soluție avansată pentru aplicații de putere mare, oferind fiabilitate și performanță excepțională. Proiectat de IXYS, acest tranzistor SMD se încadrează în carcasa TO268HV, fiind optimizat pentru a asigura o disipare eficientă a puterii de 113W. Cu o tensiune drenă-sursă de 4,5kV și un curent drenă de 0,2A, acest N-MOSFET permite operarea în condiții de înaltă tensiune, fiind ideal pentru aplicații industriale și comerciale.

Caracteristicile sale includ un timp de restabilire rapid de 1,6µs și o rezistență în timpul funcționării de 625Ω, ceea ce contribuie la eficiența energetică și la reducerea pierderilor. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit asigură o performanță constantă și o bună gestionare a căldurii. Acest tranzistor standard power MOSFET este perfect pentru proiectele care necesită un component robust și de înaltă calitate. Alege Tranzistorul N-MOSFET IXYS pentru soluții fiabile în electronică!