Categorii
Tranzistor N-MOSFET SiC 900V 35A 113W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 900V 35A 113W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 900V 35A 113W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 900V 35A 113W

C3M0065090J
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
115,98 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

39.08 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 900V 35A 113W D2PAK-7 16ns, C3M0065090J de la Wolfspeed (CREE) este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale de top, cum ar fi tehnologia SiC, carcasa D2PAK-7 și terminalul Kelvin, asigurând o performanță de încredere în timpul funcționării. Cu o putere disipată de 113W, acest tranzistor poate face față sarcinilor intense fără probleme. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu o rezistență în timpul funcționării de 78mΩ, acest tranzistor oferă eficiență și fiabilitate. Tensiunea drenă-sursă de 900V și curentul drenă de 35A îl fac ideal pentru aplicații de putere. Timpul de restabilire rapid de 16ns asigură o comutare rapidă și precisă. Cu o tensiune poartă-sursă de -8...19V și o încărcătură poartă de 30.4nC, acest tranzistor este proiectat pentru performanțe superioare. Montarea SMD face instalarea ușoară și convenabilă. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 900V 35A 113W D2PAK-7 16ns, C3M0065090J de la Wolfspeed (CREE) pentru o soluție de înaltă calitate în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
59 Produse

Fisa tehnica

Referință C3M0065090J
Producător Wolfspeed(CREE)
Putere disipată 113W
Montare SMD
Carcasă D2PAK-7
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Polarizare unipolar
Curent drenă 35A
Tensiune drenă-sursă 900V
Tensiune poartă-sursă -8...19V
Rezistenţă în timpul funcţionării 78mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 30,4nC
30.4nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 16ns
Tehnologie C3M™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: