Categorii
Tranzistor N-MOSFET 60V 7.1A SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 60V 7.1A SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 60V 7.1A SO8

SI4850EY-E3
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7,1A; 3,3W; SO8
8,36 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor are o putere disipată de 3,3W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 60V, acest tranzistor este ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de tensiune.

Montarea SMD și carcasa SO8 fac acest tranzistor ușor de integrat într-o varietate de designuri de circuite. Cu un curent de drenaj de 7,1A și o rezistență în timpul funcționării de 47mΩ, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și stabile într-o varietate de aplicații.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura portii este de 27nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe critice de comutare. Tipul tranzistorului este N-MOSFET, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de comutare și amplificare.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de fiabilitate, performanță și eficiență energetică.
Detalii ale produsului
895 Produse

Fisa tehnica

Referință SI4850EY-E3
Producător VISHAY
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 3,3W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă 7,1A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 47mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 27nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: