Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor are o putere disipată de 3,3W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 60V, acest tranzistor este ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de tensiune.
Montarea SMD și carcasa SO8 fac acest tranzistor ușor de integrat într-o varietate de designuri de circuite. Cu un curent de drenaj de 7,1A și o rezistență în timpul funcționării de 47mΩ, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și stabile într-o varietate de aplicații.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura portii este de 27nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe critice de comutare. Tipul tranzistorului este N-MOSFET, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de comutare și amplificare.
În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de fiabilitate, performanță și eficiență energetică.