Categorii
N-MOSFET Tranzistor 100V 40A 62.5W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 40A 62.5W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 40A 62.5W

P40B10SL-5071
Tranzistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62,5W
6,38 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET EETMOS3 unipolar 100V 40A Idm: 40A 62,5W de la SHINDENGEN este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor vine cu o serie de caracteristici importante care îl fac o opțiune ideală pentru proiectele dvs. Producătorul acestui tranzistor este SHINDENGEN, iar acesta este ambalat în rolă sau bandă pentru o instalare ușoară. Montarea se face cu tehnologia SMD, iar carcasa este de tip FB (TO252AA), oferind o putere disipată de 62,5W.

Cu un curent de drenă în impuls de 40A, acest tranzistor are o polarizare unipolară și poate suporta un curent de drenă de 40A. Tensiunea drenă-sursă este de 100V, iar tensiunea poartă-sursă este de ±20V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 18,5mΩ, acest tranzistor are un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 66nC. Acesta este un tranzistor N-MOSFET care utilizează tehnologia EETMOS3, fiind potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Optați pentru Tranzistorul N-MOSFET EETMOS3 de la SHINDENGEN pentru performanțe fiabile și durabile!
Detalii ale produsului
1569 Produse

Fisa tehnica

Referință P40B10SL-5071
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 62,5W
Montare SMD
Carcasă FB (TO252AA)
Curent de drenă în impuls 40A
Polarizare unipolar
Curent drenă 40A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 18,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 66nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie EETMOS3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: