Categorii
  • NRF52840-DONGLE

Tranzistor N-MOSFET 800V 1.9A 24W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 1.9A 24W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 1.9A 24W

IPD80R2K0P7ATMA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,9A; 24W; PG-TO252-3
9,49 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe ale clienților. Montat în tehnologia SMD și având o carcasă PG-TO252-3, acest tranzistor oferă o putere disipată de 24W, asigurând o performanță excelentă în aplicațiile sale.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o poartă protejată ESD, polarizare unipolară și curent de drenare de 1,9A. Cu o tensiune drenaj-sursă de 800V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor asigură o funcționare fiabilă și eficientă.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 2Ω, subtipul canalului îmbogățit și o încărcătură de poartă de 9nC, acest tranzistor N-MOSFET este potrivit pentru o gamă variată de aplicații. Tehnologia CoolMOS™ P7 asigură performanțe superioare și durabilitate pe termen lung.

În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,9A 24W PG-TO252-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea ideală pentru cei care caută un produs de încredere și performant în domeniul electronicelor.
Detalii ale produsului
1464 Produse

Fisa tehnica

Referință IPD80R2K0P7
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată 24W
Montare SMD
Carcasă PG-TO252-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 1,9A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 9nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie CoolMOS™ P7
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: