Categorii
Tranzistor N-MOSFET 30V 16A 29W WDFN8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 30V 16A 29W WDFN8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 30V 16A 29W WDFN8

FDMC7692
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
7,54 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la ONSEMI este o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită o performanță de înaltă calitate. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 29W și un curent de drenă în impuls de 40A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o capacitate de curent mare. Cu o tensiune drenă-sursă de 30V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor poate gestiona sarcini variate cu ușurință.

Carcasa WDFN8 și montarea de tip SMD fac ca acest tranzistor să fie ușor de integrat în diferite dispozitive electronice. Rezistența în timpul funcționării de 12mΩ asigură o dissipare eficientă a căldurii, ceea ce contribuie la durabilitatea tranzistorului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar polarizarea este unipolară, oferind o funcționare stabilă și fiabilă.

Cu un curent de drenă de 16A și o încărcătură de poartă de 29nC, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a semnalului. Tipul tranzistorului este N-MOSFET, ceea ce îl face ideal pentru aplicații cu tensioni de alimentare mai mici. În plus, acest tranzistor vine într-un ambalaj de rolă sau bandă, ușor de utilizat în producția în serie. Alegeți tranzistorul N-MOSFET unipolar de la ONSEMI pentru proiectele dvs. electronice de încredere și de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
2950 Produse

Fisa tehnica

Referință FDMC7692
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 29W
Montare SMD
Carcasă WDFN8
Curent de drenă în impuls 40A
Polarizare unipolar
Curent drenă 16A
Tensiune drenă-sursă 30V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 12mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 29nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: