Categorii
N-MOSFET Tranzistor 100V 9.8A 50W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 9.8A 50W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 9.8A 50W DPAK

FQD19N10LTM
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,8A; 50W; DPAK
12,50 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul ONSEMI N-MOSFET unipolar 100V 9,8A 50W DPAK este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele complexe ale aplicațiilor moderne. Acest tranzistor este fabricat de ONSEMI, un producător de renume în industria electronică.

Tranzistorul este disponibil într-un subtip de ambalaj în formă de rolă sau bandă, ușor de montat pe plăcile de circuit imprimat folosind tehnologia SMD. Carcasa DPAK oferă o protecție eficientă împotriva factorilor de mediu nocivi, asigurând o durabilitate îndelungată.

Cu o putere disipată de 50W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de mare intensitate fără a compromite performanța. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 9,8A fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de putere.

Tensiunea drenaj-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de operare. Rezistența în timpul funcționării de 0,11Ω și subtipul de canal îmbogățit optimizează performanța tranzistorului, asigurând un transfer eficient al semnalului.

Cu o încărcătură de poartă de 18nC, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și precisă a semnalului. Tipul N-MOSFET și tehnologia QFET® garantează o funcționare de înaltă calitate și o durată lungă de viață a dispozitivului. Alegeți tranzistorul ONSEMI N-MOSFET pentru a vă asigura că aplicațiile dvs. electronice beneficiază de cea mai bună performanță posibilă.
Detalii ale produsului
2114 Produse

Fisa tehnica

Referință FQD19N10LTM
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 50W
Montare SMD
Carcasă DPAK
Polarizare unipolar
Curent drenă 9,8A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,11Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 18nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie QFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
13 produse asociate: