Categorii
Tranzistor N-MOSFET 60V 64A 168W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 60V 64A 168W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 60V 64A 168W

P64LF6QN-5071
Tranzistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
6,73 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET EETMOS4 unipolar 60V 64A Idm: 192A 168W de la SHINDENGEN este un produs impresionant, cu caracteristici deosebite care îl fac o alegere excelentă pentru proiectele tale electronice.

Producător: SHINDENGEN
Subtip ambalaj: rolă, bandă
Montare: SMD
Carcasă: LF (MO235B similar)
Putere disipată: 168W
Curent de drenă în impuls: 192A
Polarizare: unipolar
Curent drenă: 64A
Tensiune drenă-sursă: 60V
Tensiune poartă-sursă: ±20V
Rezistență în timpul funcționării: 5,7mΩ
Subtip canal: îmbogățit
Încărcătură poartă: 61nC
Tip tranzistor: N-MOSFET
Tehnologie: EETMOS4

Cu o rezistență redusă în timpul funcționării de 5,7mΩ și o putere disipată de 168W, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de până la 64A, cu o tensiune drenă-sursă de 60V. Tehnologia EETMOS4 și subtipul canal îmbogățit îl fac ideal pentru aplicații sensibile care necesită o performanță de încredere. Montarea SMD și carcasa LF îl fac ușor de integrat în diverse proiecte.

Alege Tranzistorul N-MOSFET EETMOS4 de la SHINDENGEN pentru o funcționare stabilă și eficientă a sistemelor tale electronice!
Detalii ale produsului
89 Produse

Fisa tehnica

Referință P64LF6QN-5071
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 168W
Montare SMD
Carcasă LF (MO235B similar)
Curent de drenă în impuls 192A
Polarizare unipolar
Curent drenă 64A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 5,7mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 61nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie EETMOS4
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: