Categorii
Tranzistor N-MOSFET 30V 60A 63W VSONP8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 30V 60A 63W VSONP8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 30V 60A 63W VSONP8

CSD17581Q3AT
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3,3x3,3mm
11,54 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la TEXAS INSTRUMENTS este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Producătorul de încredere, TEXAS INSTRUMENTS, garantează calitatea superioară a acestui tranzistor.

Cu un subtip de ambalaj în rolă și bandă, montare de tip SMD și carcasa VSONP8, acest tranzistor impresionează cu o putere disipată de 63W și dimensiuni compacte de 3,3x3,3mm. Polarizarea unipolară, curentul de drenă de 60A și tensiunea drenă-sursă de 30V îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, rezistență în timpul funcționării de 3,9mΩ și subtipul de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe excelente. De asemenea, încărcătura poartă de 20nC, tipul N-MOSFET și tehnologia NexFET™ îl plasează în fruntea tehnologiei moderne.

Cu Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la TEXAS INSTRUMENTS, veți beneficia de fiabilitate, eficiență și performanțe de top într-un pachet compact și ușor de integrat. Alegeți calitatea și inovația cu acest tranzistor de excepție!
Detalii ale produsului
1288 Produse

Fisa tehnica

Referință CSD17581Q3AT
Producător TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 63W
Montare SMD
Dimensiuni 3,3x3,3mm
Carcasă VSONP8
Polarizare unipolar
Curent drenă 60A
Tensiune drenă-sursă 30V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 3,9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 20nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie NexFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: