Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la TOSHIBA este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Acest tranzistor are o putere disipată impresionantă de 96W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o performanță ridicată. Cu o tensiune drenă-sursă de 250V și o curent drenă de 13A, acest tranzistor poate gestiona sarcini semnificative fără probleme. Carcasa DPAK asigură o disipare eficientă a căldurii, protejând astfel componenta de supraîncălzire. De asemenea, tranzistorul are o rezistență în timpul funcționării de 0,25Ω, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 25nC, ceea ce îl face ideal pentru aplicații sensibile. Cu o polarizare unipolară și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este versatil și poate fi utilizat într-o varietate de aplicații. În concluzie, tranzistorul N-MOSFET de la TOSHIBA este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită fiabilitate și performanță ridicată.