Tranzistor N-MOSFET TrenchFET 60V 8.5A

Tranzistorul N-MOSFET TrenchFET® unipolar 60V 8,5A Idm: 40A de la VISHAY este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a puterii. Acest tranzistor este proiectat cu tehnologia TrenchFET®, care asigură o disipare eficientă a căldurii și o rezistență redusă în timpul funcționării, de doar 47mΩ. Cu o putere disipată de 3,3W și o tensiune drenă-sursă de 60V, acest tranzistor oferă o performanță fiabilă și constantă.

Montarea acestui tranzistor este simplă, datorită carcasei SO8 și subtipurilor de ambalaj în rolă sau bandă, fiind potrivit pentru montajul pe suprafata (SMD). Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații, iar tensiunea poartă-sursă de ±20V și încărcătura de poartă de 27nC asigură o funcționare optimă și stabilă. Cu un curent de drenaj de 8,5A și un curent de drenaj în impuls de 40A, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de putere semnificative.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET TrenchFET® de la VISHAY este o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită performanță, fiabilitate și eficiență într-un pachet compact și ușor de montat.