Categorii
Tranzistor N-MOSFET 60V 59A 200W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 60V 59A 200W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 60V 59A 200W D2PAK

IRF1010ESTRLPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
15,16 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 59A Idm: 330A 200W D2PAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Cu o putere disipată de 200W și o carcasă D2PAK, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile într-un design compact.

Cu un curent de drenă în impuls de 330A și o polarizare unipolară, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o funcționare fiabilă și eficientă. Cu un curent de drenă de 59A și o tensiune drenă-sursă de 60V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 12mΩ, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță termică. Subtipul canal îmbogățit și tehnologia HEXFET® asigură o funcționare stabilă și fiabilă într-o gamă diversă de aplicații.

În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 59A Idm: 330A 200W D2PAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru cei care caută un tranzistor de înaltă performanță, fiabil și eficient din punct de vedere energetic.
Detalii ale produsului
331 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF1010ESTRLPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată 200W
Montare SMD
Carcasă D2PAK
Curent de drenă în impuls 330A
Polarizare unipolar
Curent drenă 59A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 12mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: