Categorii
N-MOSFET Tranzistor 80V 55A 66W PG-TDSON-8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 80V 55A 66W PG-TDSON-8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 80V 55A 66W PG-TDSON-8

BSC123N08NS3GATMA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
13,66 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 80V 55A 66W PG-TDSON-8 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de până la 66W. Acest tranzistor are o carcasă PG-TDSON-8, ceea ce îl face ușor de montat și de integrat în diferite tipuri de circuite.

Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 80V, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 12,3mΩ, asigurând un randament excelent în aplicații cu curent drenă de până la 55A. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și subtipul canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere potrivită pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a semnalelor.

Cu tehnologia OptiMOS™ 3, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Indiferent de aplicația în care este folosit, tranzistorul N-MOSFET unipolar 80V 55A 66W PG-TDSON-8 de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită un dispozitiv de înaltă calitate și performanță.
Detalii ale produsului
1281 Produse

Fisa tehnica

Referință BSC123N08NS3GATMA1
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată 66W
Montare SMD
Carcasă PG-TDSON-8
Polarizare unipolar
Curent drenă 55A
Tensiune drenă-sursă 80V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 12,3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie OptiMOS™ 3
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: