Categorii
N-MOSFET Tranzistor 30V 35A 53W VSONP8 3,3x3,3mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 30V 35A 53W VSONP8 3,3x3,3mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 30V 35A 53W VSONP8 3,3x3,3mm

CSD17577Q3AT
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3,3x3,3mm
14,40 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 30V 35A 53W VSONP8 3,3x3,3mm de la TEXAS INSTRUMENTS este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici tehnice deosebite, cum ar fi montare SMD, carcasă VSONP8 compactă, putere disipată de 53W și dimensiuni reduse de doar 3,3x3,3mm. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 35A fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații de putere medie și mare.

Cu o tensiune drenă-sursă de 30V și tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în diverse condiții de funcționare. Rezistența redusă în timpul funcționării de 5,3mΩ și subtipul de canal îmbogățit asigură o eficiență și fiabilitate superioare. De asemenea, încărcătura poartă de 12nC și tehnologia NexFET™ sunt garanția unei funcționări fără probleme și a unei durate lungi de viață a dispozitivului.

Indiferent de aplicația dvs., Tranzistorul N-MOSFET unipolar 30V 35A 53W VSONP8 3,3x3,3mm de la TEXAS INSTRUMENTS este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de performanță, fiabilitate și eficiență energetică. Alegeți calitatea și inovația pe care le oferă acest tranzistor de la unul dintre cei mai respectați producători din industria electronică!
Detalii ale produsului
151 Produse

Fisa tehnica

Referință CSD17577Q3AT
Producător TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 53W
Montare SMD
Dimensiuni 3,3x3,3mm
Carcasă VSONP8
Polarizare unipolar
Curent drenă 35A
Tensiune drenă-sursă 30V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 5,3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 12nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie NexFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: