Categorii
Tranzistor N-MOSFET 40V 100A 120W VSONP8 5x6mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 40V 100A 120W VSONP8 5x6mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 40V 100A 120W VSONP8 5x6mm

CSD18503Q5AT
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
20,91 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la TEXAS INSTRUMENTS este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor este perfect adaptat pentru montare pe suprafață (SMD) și vine într-o carcasă VSONP8 compactă de 5x6mm.

Cu o putere disipată impresionantă de 120W și o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj de până la 100A și o tensiune drenaj-sursă de 40V. De asemenea, are o tensiune poartă-sursă de ±20V și o rezistență în timpul funcționării de doar 4,7mΩ, asigurând o eficiență maximă în aplicațiile tale.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 13nC, acest tranzistor N-MOSFET este proiectat să ofere performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Tehnologia NexFET™ asigură o funcționare stabilă și consistentă în diverse condiții de operare, fiind alegerea ideală pentru proiectele tale electronice exigente.
Detalii ale produsului
552 Produse

Fisa tehnica

Referință CSD18503Q5AT
Producător TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 120W
Montare SMD
Dimensiuni 5x6mm
Carcasă VSONP8
Polarizare unipolar
Curent drenă 100A
Tensiune drenă-sursă 40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,7mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 13nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie NexFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: