Categorii
  • NRF52840-DONGLE

Tranzistor N-MOSFET 40V 81A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 40V 81A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 40V 81A

IPD90N04S404ATMA1
Tranzistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
12,50 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET OptiMOS™ T2 unipolar 40V 81A Idm: 360A de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici tehnice impresionante, cum ar fi puterea disipată de 71W, curentul de drenă în impuls de 360A și tensiunea drenă-sursă de 40V. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 4,1mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență maximă în funcționare.

Subtipul ambalajului în formă de rolă facilitează montarea SMD, iar carcasa PG-TO252-3-313 oferă protecție și durabilitate. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit sunt caracteristici cheie care contribuie la performanța superioară a acestui tranzistor. Cu o încărcătură a porții de 20nC și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest dispozitiv este ideal pentru aplicații sensibile la putere.

Tranzistorul N-MOSFET OptiMOS™ T2 se remarcă prin tehnologia avansată utilizată în producție, asigurând o funcționare fiabilă și performanțe constante pe termen lung. Cu INFINEON TECHNOLOGIES ca producător de încredere, puteți avea încredere că acest tranzistor va satisface toate cerințele dumneavoastră de proiectare electronică. Optați pentru calitate și eficiență cu Tranzistorul N-MOSFET OptiMOS™ T2!
Detalii ale produsului
2332 Produse

Fisa tehnica

Referință IPD90N04S404
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj rolă
Putere disipată 71W
Montare SMD
Carcasă PG-TO252-3-313
Curent de drenă în impuls 360A
Polarizare unipolar
Curent drenă 81A
Tensiune drenă-sursă 40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,1mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 20nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie OptiMOS™ T2
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: